Встроенная память смартфонов вскоре достигнет отметки 0,5 ТБ. Samsung начала производство 512-ГБ eUFS чипов для мобильных устройств

Хорошие новости для тех, кто давно и хронически испытывает нехватку оперативной памяти в своем смартфоне или планшете.

Компания Samsung официально объявила о начале выпуска высокоскоростных 512-ГБ чипов eUFS памяти, предназначенных для использования в смартфонах, планшетахи и прчих устройствах.

Это означает, что вскоре объем встроенной памяти смартфонов в 515 ГБ станет нормой и на рынке также начнут появляться смартфоны и планшеты с 1 ТБ постоянной eUFS памяти.

При производстве своих новых Universal Flash Storage (eUFS) чипов памяти компания Samsung использует новейшую 64-слойную V-NAND технологию, которая пришла на смену 48-слойной технологии, используемой при производстве нынешних 256-Гб чипов eUFS.

Кроме невиданной ранее емкости новые чипы встроенной памяти корейского производителя смогут также похвастаться и высокой скоростью работы. В частности, скорость последовательного чтения и записи в новую память eUFS будет достигать 860 МБ/сек, а скорость случайной записи и чтения — 255 МБ/сек (42000 операций в секнду при чтении и 40 000 операций/сек при записи).

Это означает, что смартфоны оснащенные новыми чипами памяти от Samsung без каких-либо проблем смогут записывать видео самого высокого разрешения и ещё быстрее работать с приложениями и играми, требующими быстрого доступа к большим объемам данных, хранящихся в памяти наших устройств.

Похожие материалы:

Huawei Kirin 970. Процессор для мобильных устройств с искусственным интеллектом

Новые GPS-чипы для смартфонов и планшетов помогут избегать пропущенных поворотов и длительных объездов

Qualcomm Snapdragon 845. Новый процессор флагманского уровня будет выполнен на базе ARM Cortex A75 и A55 ядер

MediaTek Helio P30. Восьмиядерный 12-нм процессор для смартфонов средней ценовой категории уже на подходе