Смартфоны с 1 ТБ встроенной памяти eUFS 2.1 на подходе: Samsung начала массовое производство чипов с такой емкостью

Все мы хорошо помним те времена, когда смартфоны с 64 или 128 ГБ встроенной памяти были еще в диковинку, но время не стоит на месте и сегодня никого не удивишь телефоном с 512 ГБ памяти на борту. Но это еще далеко не предел.

Компания Samsung официально объявила о том, что ассортимент выпускаемых ею комплектующих для электронных устройств пополнился терабайтными чипами типа eUFS 2.1, предназначенными для мобильных устройств.

Массовое производство этих чипов уже стартовало и для перехода на них производителям смартфонов не придется менять компоновку их плат: размеры чипа eUFS с объемом 1 ТБ составляют 11.5 x 13.0 мм, что в точности соответствует их 512-ГБ предшественникам.

Вполне возможно, что новые чипы выйдут на рынок в составе смартфонов из линейки Galaxy S10, как и гласили ранее слухи: Samsung сообщает, что новые чипы появятся в устройствах флагманского уровня

Новая память кроме увеличенного вдвое объема может также похвастаться и более высокой скоростью работы. В частности, скорость последовательного чтения у них достигает 1000 МБ/с, что в десять раз быстрее, чем стандартная карта MicroSD. Говоря о скорости последовательной записи, то стоит отметить, что она возросла не сильно и составляет 260 МБ/с, что на 5 МБ/с выше, чему 512-гигабайтных чипов eUFS 2.1, присутствующих ныне на рынке.

источник

Похожие материалы:

Samsung Galaxy S10. Смартфоны этой линейки оснастят скоростной оперативной памятью LPDDR5

Toshiba представила высокоскоростные чипы флеш-памяти UFS 3.0 для смартфонов и прочих гаджетов

Новые сверскоростные карты памяти SDUC будут иметь емкость до 128 ТБ и скорость до 985 МБ/секунду

Samsung начнет производить скоростную оперативную память LPDDR5 и флеш-память типа UFS 3.0 в этом году